ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОПЛЕНКИ SiO2 НА ПОВЕРХНОСТИ Si ПРИ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ
Keywords:
нанофаза, низкоэнергетический, поверхность, ионная доза, наносимые фазы, легированные, нанопленки, твердая фаза
Abstract
Имплантация низкоэнергетическими ионами в сочетании с отжигом позволяет получать не только однородные сплошные нанопленки SiO2, но и пленки SiO2 с регулярно расположенными фазами нанокристаллического кремния. Независимо от типа окисления между однородной пленкой SiO2 и Si образуется переходный слой толщиной d, в котором концентрация O уменьшается с увеличением глубины d от ~ 65 ¸ 70 ат.% до 0..
References
1. Светличный А.М., Агеев О.А., Шляховой Д.А.//Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001, №4-5. С.38-43.
2. Кручинин В.Н., Перевалов Т.В., Камаев Г.Н., Рыхлийкий С.В., Гриценко В.А. // Оптические свойства нестехиометрического оксида кремния SiOx (x<2)/ Оптика и спектроскопия, 2019, том 127, вып.5, С.769-773.
3. Ergashov Y.S., Tashmukhamedova D.A., Rabbimov E. // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. -Russia, 2015, -Vol. 9,№2,-P.350–354. © Pleiades Publishing, Ltd.
4. Болтаев Х.Х., Ташмухамедова Д.А., Умирзаков Б.Е. //Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2014. № 4. с. 24 – 29.
5. Умирзаков Б.Е., Ташмухамедова Д.А. Электронная спектроскопия нанопленок и наноструктур, созданных ионной имплантацией. – Ташкент: ТашГТУ, 2004. – 147 с.
6. Лифшиц В.Г. Электронная спектроскопия и атомные процессы на поверхности кремния. М.: Наука, 1985. 200 с.
7. Алтухов А.А. Разработка и исследование физико-технологических принципов создания микроэлектронных устройств на основе планарных многослойных гетероэпитаксиальных структур Si, CaF2 и CoSi2, сформированных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат канд. дисс. М.: ЦНИТИ «Техномаш», 2005. 20 с.
8. Ergashov E. S., Isakhanov Z. A., and Umirzakov B. E. //Technical Physics, 2016, Vol. 61, No. 6, -P.953–955.
9. Umirzakov, B.E., Tashmukhamedova, D.A., Tashatov, A.K., Mustafoeva, N.M. Technical Physics, 2019, 64(5), 708–710
10. Umirzakov B.E., Tashmukhamedova D.A., Tashatov A.K., Mustafoeva N.M., Muradkabilov D.M. // Effect of the Disordering of Thin Surface Layers on the Electronic and Optical Properties of Si(111) // Semiconductors, 2020, 54(11), стр. 1424–1429
11. Н. М. Мустафоева, Н. М. Мустафаева // Исследование Физические Свойства Нанопленок Nisi2/Si // Таълим ва ривожланиш таҳлили онлайн илмий журнали, 2022 йил октябр, Vol. 2 No. 10 (2022)
12. N. M. Mustafoeva, A. K. Tashatov, N. M. Mustafaeva, X. J. Mavlonova //Investigation of Physical Properties of Nisi 2/Si Nanofilm // Pioneer: Journal of Advanced Research and Scientific Progress (JARSP)
Volume: 01 Issue: 04 | 2022 ISSN: 2751-7551
13. N. M. Mustafoeva, A. K. Tashatov, N. M. Mustafaeva, X. J. Mavlonova //Surface Morphology of Nisi 2 /Si Films Produced By Solid-Phase Epitaxy// Pioneer: Journal of Advanced Research and Scientific Progress (JARSP)
Volume: 01 Issue: 04 | 2022 ISSN: 2751-7551
14. А. К. Ташатов , Н. М. Мустафоева //Нанопленок CoSi2 На Поверхности Si При Твердофазном Осаждени // Miasto Przyszłości Kielce, Vol. 25 (2022):
15. Donaev S.B. Tashatov A.K. Mustafoeva N.M. // Electronic and Optical Properties of GaAlAs/GaAs thin films // Technical Phusics, Vol.64, Issue 10(2019), pp.1506-1508
16. Tashatov A.K. Mustafoeva N.M. // Surface Morphology of NiSi2/Si Films Obtained by the Method of Solid-Phase Deposition // Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 2020, Vol.14, No 1, pp. 81-84.
17. Ташатов А.К. Мустафоева Н.М. // Морфология поверхности пленок NiSi2/Si полученных методом твердофазной эпитаксии // Тенденции развития современной физики полупроводников: проблемы, достижения и перспективы; Сборник материалов международной онлайн конференции Ташкент. 2020. 92-97. с.
18. Ташатов А.К. Мустафоева Н.М. // Морфология, состав и структура поверхности пленок NiSi2/Si полученных методом твердофазной эпитаксии // Узбекиский физический журнал, 23(2), 2021. C.55-60
2. Кручинин В.Н., Перевалов Т.В., Камаев Г.Н., Рыхлийкий С.В., Гриценко В.А. // Оптические свойства нестехиометрического оксида кремния SiOx (x<2)/ Оптика и спектроскопия, 2019, том 127, вып.5, С.769-773.
3. Ergashov Y.S., Tashmukhamedova D.A., Rabbimov E. // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. -Russia, 2015, -Vol. 9,№2,-P.350–354. © Pleiades Publishing, Ltd.
4. Болтаев Х.Х., Ташмухамедова Д.А., Умирзаков Б.Е. //Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2014. № 4. с. 24 – 29.
5. Умирзаков Б.Е., Ташмухамедова Д.А. Электронная спектроскопия нанопленок и наноструктур, созданных ионной имплантацией. – Ташкент: ТашГТУ, 2004. – 147 с.
6. Лифшиц В.Г. Электронная спектроскопия и атомные процессы на поверхности кремния. М.: Наука, 1985. 200 с.
7. Алтухов А.А. Разработка и исследование физико-технологических принципов создания микроэлектронных устройств на основе планарных многослойных гетероэпитаксиальных структур Si, CaF2 и CoSi2, сформированных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат канд. дисс. М.: ЦНИТИ «Техномаш», 2005. 20 с.
8. Ergashov E. S., Isakhanov Z. A., and Umirzakov B. E. //Technical Physics, 2016, Vol. 61, No. 6, -P.953–955.
9. Umirzakov, B.E., Tashmukhamedova, D.A., Tashatov, A.K., Mustafoeva, N.M. Technical Physics, 2019, 64(5), 708–710
10. Umirzakov B.E., Tashmukhamedova D.A., Tashatov A.K., Mustafoeva N.M., Muradkabilov D.M. // Effect of the Disordering of Thin Surface Layers on the Electronic and Optical Properties of Si(111) // Semiconductors, 2020, 54(11), стр. 1424–1429
11. Н. М. Мустафоева, Н. М. Мустафаева // Исследование Физические Свойства Нанопленок Nisi2/Si // Таълим ва ривожланиш таҳлили онлайн илмий журнали, 2022 йил октябр, Vol. 2 No. 10 (2022)
12. N. M. Mustafoeva, A. K. Tashatov, N. M. Mustafaeva, X. J. Mavlonova //Investigation of Physical Properties of Nisi 2/Si Nanofilm // Pioneer: Journal of Advanced Research and Scientific Progress (JARSP)
Volume: 01 Issue: 04 | 2022 ISSN: 2751-7551
13. N. M. Mustafoeva, A. K. Tashatov, N. M. Mustafaeva, X. J. Mavlonova //Surface Morphology of Nisi 2 /Si Films Produced By Solid-Phase Epitaxy// Pioneer: Journal of Advanced Research and Scientific Progress (JARSP)
Volume: 01 Issue: 04 | 2022 ISSN: 2751-7551
14. А. К. Ташатов , Н. М. Мустафоева //Нанопленок CoSi2 На Поверхности Si При Твердофазном Осаждени // Miasto Przyszłości Kielce, Vol. 25 (2022):
15. Donaev S.B. Tashatov A.K. Mustafoeva N.M. // Electronic and Optical Properties of GaAlAs/GaAs thin films // Technical Phusics, Vol.64, Issue 10(2019), pp.1506-1508
16. Tashatov A.K. Mustafoeva N.M. // Surface Morphology of NiSi2/Si Films Obtained by the Method of Solid-Phase Deposition // Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 2020, Vol.14, No 1, pp. 81-84.
17. Ташатов А.К. Мустафоева Н.М. // Морфология поверхности пленок NiSi2/Si полученных методом твердофазной эпитаксии // Тенденции развития современной физики полупроводников: проблемы, достижения и перспективы; Сборник материалов международной онлайн конференции Ташкент. 2020. 92-97. с.
18. Ташатов А.К. Мустафоева Н.М. // Морфология, состав и структура поверхности пленок NiSi2/Si полученных методом твердофазной эпитаксии // Узбекиский физический журнал, 23(2), 2021. C.55-60
Published
2023-02-10
How to Cite
Нуриддинов, Б. З., Довранов, К. Т., & Ташатов, А. К. (2023). ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОПЛЕНКИ SiO2 НА ПОВЕРХНОСТИ Si ПРИ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ. CENTRAL ASIAN JOURNAL OF MATHEMATICAL THEORY AND COMPUTER SCIENCES, 4(2), 50-55. https://doi.org/10.17605/OSF.IO/RCX4Y
Section
Articles
